Copyright © СО РАН

СО РАН

 
     
 
Главная  > Общая характеристика СО РАН  > Научные достижения, институты, люди  > Академик Александр Леонидович Асеев
Академик Александр Леонидович Асеев
Родился 24.09.1946

Избран действительным членом (академиком) РАН в 2006 г. (член-корреспондент РАН с 2000 г.).
С 2008 г. вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН.
С 2014 г. иностранный член Национальной академии наук Беларуси.
С 1998 по 2013 год - директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности.
Под руководством Александра Леонидовича в Институте создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. Выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии.

Асеевым А.Л. с сотрудниками разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.
Александр Леонидович ведет работы по созданию нанотранзисторов; по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии.

Асеев Александр Леонидович на портале РАН



Главная  > Общая характеристика СО РАН  > Научные достижения, институты, люди  > Академик Александр Леонидович Асеев
   
       

Copyright © СО РАН