Исследована чувствительность к водородсодержащим газам
тонкопленочных структур состава
In2O3—Ga2O3. Оптимизированы условия
получения пленок и последующих термических обрабо ток с целью увеличения
чувствительности датчиков при экспозиции в водородсодержащей среде (этанол) и
повышения стабильности к условиям эксплуатации и хранения (рис.1).
Рис. 1. Относительное изменение сопротивления пленок In2O3—Ga2O3 от концентрации этанола (Тотж = 800 °С, рабочая температура датчика Траб = 350 °С, время отжига — 30 и 60 мин, время хранения — 3 мес.).
|