Завершена работа по моделированию, разработке технологии и
изготовлению тестовых транзисторных структур IGBT на напряжение до 1200 В и ток
до 50 А на тонких кристаллах БЗП кремния. Максимальная плотность управляемо го
тока в транзисторах IGBT ограничена включением паразитного динистора и
составляет от 200 А/см2 при напряжении 600 В и до
45 А/см2 при 3300 В. Высокая надежность транзисторов IGBT с
частичным обеднением базы — NPT IGBT и простота полевого управления сделали
его наиболее перспективным прибором силовой электроники в области напряжений до
1 кВ (рис.1).
 Рис. 1. Ток (верхняя) и напряжение (нижняя осциллограмма) перехода эмиттер—коллектор IGBT:
а — U = 70 B, Vg= +20 B, 30 мкc; ось ординат 4 А/дел, 5 В/дел, ось абсцисс 20 мкс/дел, полный ток 30 А, падение напряжения 7 В, прижимной контакт;
б — U = 70 B, Vg = + 18 B, 130 мкc; ось ординат 20 А/дел, 2 В/дел, ось абсцисс 25 мкс/дел, полный ток 60 А, падение напряжения 2,6 В, холодная сварка.
|
