Разработана принципиально новая технология наноструктурирования
полупроводниковых систем, основанная на глубоком локальном анодном окислении
поверхностей титана, арсенида галлия и кремния проводящим зондом атомно-силового
микроскопа при приложении дополнительного потенциала. Данная технология
позволила освоить принципиально новый масштаб размеров в изготовлении
наноструктур (10—100 нм). С ее помощью создан квантовый интерферометр с
эффективным радиусом 90 нм. Столь малые размеры дали возможность повысить
рабочую температуру интерферометра почти на порядок (до 15 K) (рис. 1).
 Рис. 1. Изображение поверхности гетероструктуры AlGaAS/GaAs с квантовым интерферометром, изготовленным локальным окислением с помощью зонда атомно-силового микроскопа (а); осцилляции Ааронова—Бома, период осцилляций ΔВ = 0,16 Т соответствует эффективному радиусу r = 90 нм (б).
| 
