В рамках обобщенного метода сильной связи (ОМСС), развитого
авторами для сильно коррелированных систем, рассчитана концентраци онная
зависимость электронной структуры высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП)
купратов как при дырочном допировании, так и при электронном (рис. 1).
Химпотенциал в дырочных купратах
(La2–xStxCuO4,
правая часть рисунка) пиннингован в окрестности узкой зоны внутрищелевых
состояний вплоть до оптимального допирования, а в электронных
(Ne2–xCsxCuO4, левая
часть рисунка) немонотонным образом зависит от концентрации. Концентрационные
зависимости электронной структуры и химпотенциала совпадают с экспериментальными
данными. Для описания магнитного механизма спаривания найден эффективный
гамильтониан синглет-триплетной t-J модели, параметры которого хорошо
согласуются с параметрами (перескоки и обменный интеграл) t-J модели,
полученными из первопринципных расчетов.
 Рис. 1. Концентрационная зависимость электронной структуры ВТСП купратов.
|
