Справочно-информационная система СО РАН - Основные научные результаты

СО РАН

Приоритетное направление:
	II.6. (2.1) Актуальные проблемы физики конденсированных сред, в том числе квантовой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спинтроники, сверхпроводимости.

Программа II.6.2. Физика твердотельных устройств микро- и наноэлектроники

Координатор(ы): чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный

Проекты:

II.6.2.1. Высокоскоростная система для генерации квантового ключа в оптоволоконных линиях связи (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. И.И. Рябцев, чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.2.2. Исследования и разработка физико-химических основ создания наноструктурированных и нанокомпозитных материалов, приборных структур для интегрированных микро- и наносенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых микро- и наносенсоров на основе наноструктурированных материалов (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.В. Болотов (Омский филиал ИФП СО РАН)
II.6.2.3. Разработка физических основ низкотемпературной технологии получения пленок нано- и микрокристаллического кремния и гетероструктур полупроводниковый нанокластер/диэлектрическая матрица (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): к.ф.-м.н. М.Д. Ефремов (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.2.4. Базовые технологии функциональных оптоэлектронных материалов и волновые процессы в микро- наноразмерных и интегрально-оптических структурах (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.В. Атучин (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.2.5. Развитие МЛЭ технологии низкоразмерных гетероструктур на основе соединений типа А₃В₅ для полевых СВЧ приборов (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. К.С. Журавлев (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.2.6. Инжекционные структуры на основе PbSnTe:In для фотоприемных матриц ИК и терагерцового диапазона излучения (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.Н. Шумский, чл.-к. РАН И.Г. Неизвестный (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН