Справочно-информационная система СО РАН - Основные научные результаты

СО РАН

Приоритетное направление:
	II.6. (2.1) Актуальные проблемы физики конденсированных сред, в том числе квантовой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спинтроники, сверхпроводимости.

Программа II.6.1. Физика полупроводниковых наноструктур и квантовые эффекты в полупроводниках

Координатор(ы): ак. А.Л. Асеев

Проекты:

II.6.1.1. Физико-химические принципы формирования и электронные процессы в сверхтонких (1-20 нм) пассивирующих пленочных наноструктурах на полупроводниках типа А₃В₅ (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. Г.Л. Курышев (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.2. Атомные и электронные процессы на поверхностях соединений А₃В₅ с нанометровыми (Cs,O) покрытиями (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. А.С. Терехов (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.3. Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств гетероструктур на основе квантоворазмерных слоев А₃В₅, нанометровых вакуумных зазоров и термоэлектрических свойств наноразмерных слоев оксидов ванадия (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.Н. Овсюк (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.4. Электронные и оптические свойства одно- и двумерных нано гетероструктур на изоляторе в деформационных и электромагнитных полях (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.П. Попов (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.5. Разработка одно фотонных излучателей на основе полупроводниковых квантовых наноструктур (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.А. Гайслер (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.6. Атомная и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.А. Гриценко (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.7. Квантовые явления в низкоразмерных системах и наноструктурах (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): чл.-к. РАН А.В. Чаплик, д.ф.-м.н. З.Д. Квон (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.6.1.8. Физико-технологические основы эпитаксии гетероструктур Cd_xHg_1-xTe с нанослоями с локальным легированием акцепторными и донорными примесями и исследование их фотоэлектрических свойств (2010 - 2012 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидоров (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН