Справочно-информационная система СО РАН - Основные научные результаты

СО РАН

Приоритетное направление:
	II.8. Актуальные проблемы физики конденсированных сред, в том числе квантовой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спинтроники, сверхпроводимости.

Программа II.8.1. Физические явления и квантовые эффекты в полупроводниковых наноструктурах

Координатор(ы): ак. А.Л. Асеев

Проекты:

II.8.1.1. Атомные и электронные процессы на поверхности фотоэмиттеров с эффективным отрицательным электронным сродством (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. А.С. Терехов (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.1.2. Квантовые свойства низкоразмерных электронных систем и наноструктур (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): ак. А.В. Чаплик, д.ф.-м.н. З.Д. Квон (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.1.3. Разработка сверхминиатюрных излучателей на основе полупроводниковых квантовых наноструктур (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.А. Гайслер (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.1.4. Исследование природы активных центров и структурных дефектов в наноструктурах КРТ, выращиваемых методом МЛЭ, и разработка основ создания высокоэффективных фотоприемных и излучающих гетероструктур на основе КРТ (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидоров, к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.1.5. Электронные и оптические свойства одно- и двумерных наноразмерных гетероструктур на основе кремния и алмаза в деформационных и электромагнитных полях (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. В.П. Попов (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.1.6. Особенности поперечного электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах типа А3В5, А2В6 со сверхтонкими барьерными слоями и квантовыми ямами (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): д.ф.-м.н. Г.Л. Курышев, д.ф.-м.н. А.П. Ковчавцев (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
II.8.1.7. Разработка физических и технологических принципов изготовления неохлаждаемых матричных микроболометрических приемников инфракрасного диапазона повышенного формата и исследование путей повышения чувствительности микроболометров в терагерцовом диапазоне (2013 - 2016 год)
Руководитель(и): к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН