«Наука в Сибири» № 47 (2832) 24 ноября 2011 г. К 80-ЛЕТИЮ ЧЛ.-КОРР. РАН И. Г. НЕИЗВЕСТНОГО Дорогой Игорь Георгиевич! Президиум Сибирского отделения Российской академии наук и Объединённый учёный совет по физическим наукам сердечно поздравляют Вас с 80-летием! Вы начали свою научную деятельность в знаменитом ФИАНе в лаборатории академика Б. М. Вула. Тогда же у Вас возник творческий союз и дружба с Вашим учителем А. В. Ржановым, вместе с которым Вы организовали Институт физики полупроводников СО РАН. Сформулированные А. В. Ржановым и Вами научные направления института при его создании, и сейчас не устарели. Более того, их актуальность в настоящее время только возрастает. Созданный под Вашим руководством термостатированный корпус ИФП СО РАН стал примером технологической культуры для многих научно-исследовательских организаций в области микроэлектроники. Отдавая много времени научно-организационным вопросам, оснащению института первоклассным оборудованием, Вы не переставали заниматься научными исследованиями. Ваши исследования электронных и фотоэлектрических явлений на границах раздела полупроводник-диэлектрик и многослойных полупроводниковых гетероструктурах принесли Вам широкую известность в научном сообществе. Они нашли отражение в 170 публикациях в самых престижных научных изданиях. Среди них 7 монографий, в том числе первые в России учебные пособия по основам наноэлектроники. Они сыграли важную роль в развитии микро-, опто- и наноэлектроники, заложили основу методов стабилизации характеристик полупроводниковых приборов. Вами развиты методы получения и исследования многослойных тонкопленочных структур, ставшие базой многоэлементных фотоприёмных устройств в широком диапазоне длин волн. Ваши исследования гетероструктур PbSnTe (In) и создание на их основе многоэлементных фотоприёмников удостоены Государственной премии РФ по науке и технике в 1995 году. Вы и в настоящее время демонстрируете высокую творческую активность, занимаясь фундаментальными исследованиями в области физических и физико-технологических основ элементной базы быстродействующей микро- и фотоэлектроники, квантовой однофотонной криптографии, микро и наносенсорики, компьютерного моделирования процессов на поверхности полупроводников. Вы много времени уделяете педагогической деятельности, руководя филиалом кафедры НГТУ в ИФП. Ваши ученики, среди которых семь докторов и пятнадцать кандидатов наук, плодотворно трудятся в отечественных и зарубежных научных центрах. Вы являетесь членом ряда научных советов РАН и СО РАН, заместителем главного редактора журнала «Микроэлектроника», членом редколлегии ряда международных научных журналов. Свидетельством широкого международного признания является избрание Вас членом-корреспондентом РАН, членом-основателем Азиатско-Тихоокеанской академии Материаловедения, членом Американского и Японского физических обществ. Коренной одессит, Вы отличаетесь неиссякаемым чувством юмора, доброжелательностью, внимательным отношением к людям. Избрание Вас Почётным профессором Одесского национального университета — убедительное доказательство того, что Одесса считает Вас своим достойным сыном. Будучи смолоду спортсменом, одним из организаторов спортклуба АН СССР и клуба подводного плавания СО РАН, Вы и сейчас отличаетесь бодростью и спортивной выправкой. Мы желаем Вам, дорогой Игорь Георгиевич, здоровья, творческого долголетия, удач во всех начинаниях, благополучия Вам, Вашим близким и друзьям! Председатель Отделения академик А.Л. Асеев Председатель Объединённого ученого совета СО РАН по физическим наукам академик А.Н. Скринский Главный учёный секретарь Отделения чл.-корр. РАН Н.З. Ляхов стр. 2