ДЕЛОВОЙ ВИЗИТ В ИФП
18-го ноября академик Н. Добрецов посетил Институт физики
полупроводников СО РАН.
Председателю СО РАН были продемонстрированы современные
технологические подразделения института: участок выращивания
монокристаллического кремния методом бестигельной зонной плавки и
лаборатория получения эпитаксиальных структур кадмий-ртуть-теллур
методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В лаборатории используется
оборудование, специально разработанное в институте.
Академик Н. Добрецов ознакомился с экспозицией действующих
образцов последних разработок института и КТИ прикладной
микроэлектроники с участием малых предприятий при ИФП. Внимание
руководителя Отделения привлекли, в частности, такие работы, как
новая модификация медицинского тепловизора «СВИТ», устройство
видеонаблюдения в УФ-диапазоне, акусто-электронная система
определения позиции диагностирующих «снарядов» в нефтепроводах,
система квантовой криптографии и высокочувствительный
оптико-поляризационный тензодатчик.
В конференц-зале состоялась беседа с членами Ученого совета и
Совета научной молодежи института.
Во время короткой видеопрезентации современных достижений
института директор ИФП чл.-корр. РАН А. Асеев особо выделил
работы по исследованию квантового транспорта в низкоразмерных
полупроводниковых структурах и работы в области когерентной
оптики, уровень которых сравним с «нобелевским» уровнем
лучших мировых достижений в этих областях. Был
представлен также широкий спектр специальных и прикладных
разработок и обозначены проблемы в развитии
инновационной деятельности для этого класса разработок.
Ак. Н. Добрецов проявил большой интерес к представленным
результатам, отметив их высокий уровень, оригинальность и
возможность практического применения в тех новых областях,
которые обеспечивают масштабность освоения разработок института.
В своем выступлении и последующем содержательном диалоге
с ведущими сотрудниками института, в том числе, молодыми,
ак. Н. Добрецов подробно рассказал о ходе реформирования РАН, проблемах
создания IT-технопарка в Академгородке и особой экономической
зоны, задаче ускоренной подготовки молодых кадров для институтов
Сибирского отделения. В заключение председатель Сибирского
отделения отметил, что Институт физики полупроводников несомненно
принадлежит к числу наиболее динамично развивающихся не только в
рамках Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам,
но и в целом по Сибирскому отделению РАН.
Наш корр.
стр. 2
|